ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FQAF19N60
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FQAF19N60-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 11.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
ສິນຄ້າ:
12849600
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FQAF19N60 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
QFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
120W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3PF
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FQAF1
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
360
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP11NM60
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
324
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP11NM60-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.75
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT6038BFLLG
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT6038BFLLG-DG
ລາຄາຕໍານອນ
10.00
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT6038BLLG
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT6038BLLG-DG
ລາຄາຕໍານອນ
9.72
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
AOW12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
AON6912ALS
MOSFET N-CH
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3