ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FQA27N25
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FQA27N25-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 250V 27A TO3PN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 250 V 27A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3PN
ສິນຄ້າ:
12837797
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FQA27N25 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
QFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2450 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
210W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3PN
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3, SC-65-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FQA27
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDA33N25
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
619
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDA33N25-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.54
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTQ36N30P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
346
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTQ36N30P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.47
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDB2552
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
FDPF035N06B-F152
MOSFET N-CH 60V 88A TO-220F
FQP13N50
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
