ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDR8308P
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDR8308P-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
ສິນຄ້າ:
12839701
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDR8308P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 P-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1240pF @ 10V
ພະລັງ - Max
800mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SuperSOT™-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDR83
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
FDR8308P-DG
FDR8308PTR
FDR8308PDKR
FDR8308PCT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDC6306P
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4981
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDC6306P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDG6301N_D87Z
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
FDMC89521L
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
FDMS3660AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
