ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDP8870-F085
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDP8870-F085-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
ສິນຄ້າ:
12851181
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDP8870-F085 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
19A (Ta), 156A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5200 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
160W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDP88
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
400
ຊື່ ອື່ນໆ
FDP8870_F085
FDP8870_F085-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN4R3-30PL,127
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4699
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN4R3-30PL,127-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.72
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPP042N03LGXKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
238
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPP042N03LGXKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.49
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FCI7N60
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
HUFA76633P3
MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
