ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDP10N60NZ
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDP10N60NZ-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-220-3
ສິນຄ້າ:
12838468
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDP10N60NZ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
UniFET-II™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1475 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
185W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDP10
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FDP10N60NZ-OS
ONSONSFDP10N60NZ
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTP4N65X2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
232
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTP4N65X2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.12
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP9N60M2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
20
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP9N60M2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.54
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
AOT10N60
ຜູ້ຜະລິດ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
769
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
AOT10N60-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.60
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FQP5N50C
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
FCPF190N60-F152
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
