ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDP038AN06A0-F102
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDP038AN06A0-F102-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
ສິນຄ້າ:
12836402
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDP038AN06A0-F102 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6400 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
310W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDP038
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800
ຊື່ ອື່ນໆ
2832-FDP038AN06A0-F102-488
FDP038AN06A0_F102
FDP038AN06A0_F102-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFP220N06T3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
20
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFP220N06T3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.54
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTP200N055T2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTP200N055T2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.70
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFP230N075T2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
24
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFP230N075T2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.38
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFS540A
MOSFET N-CH 100V 17A TO220F
HUFA75309T3ST
MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
FDB12N50UTM_WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
