FDN352AP
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDN352AP

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDN352AP-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

ສິນຄ້າ:

61417 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12849006
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDN352AP ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
500mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-23-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDN352

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
FDN352APTR
FDN352AP-DG
FDN352APDKR
FDN352APCT
2156-FDN352AP-OS
2832-FDN352APTR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

FQP58N08

MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3

onsemi

FDT434P

MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4

alpha-and-omega-semiconductor

AO4404B

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF14N50

MOSFET N-CH 500V 14A TO220-3F