FDMS86202ET120

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDMS86202ET120

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDMS86202ET120-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12840057

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FDMS86202ET120 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

onsemi

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

PowerTrench®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

120 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

13.5A (Ta), 102A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4585 pF @ 60 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3.3W (Ta), 187W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-PQFN (5x6)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-PowerTDFN

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

FDMS86202

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

FDMS86202ET120-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

FDMS86202ET120TR

FDMS86202ET120CT

FDMS86202ET120DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

FQA36P15

MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN

PCFG40N120ANF

MOSFET N-CH

onsemi

FQPF5N50CFTU

MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

onsemi

NTB125N02RT4

MOSFET N-CH 24V 125A D2PAK