ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDMS4D0N12C
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDMS4D0N12C-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 120 V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
ສິນຄ້າ:
4063 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12847102
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDMS4D0N12C ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 370A
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6460 pF @ 60 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.7W (Ta), 106W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-PQFN (5x6)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDMS4
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
FDMS4D0N12COSDKR
FDMS4D0N12C-DG
FDMS4D0N12COSTR
FDMS4D0N12COSCT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
HUFA75339S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
AON2407
MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
NTD4858N-35G
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
