ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDME410NZT
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDME410NZT-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 7A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
ສິນຄ້າ:
12835949
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDME410NZT ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1025 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
MicroFet 1.6x1.6 Thin
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-PowerUFDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDME41
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
FDME410NZTTR
FDME410NZTCT
FDME410NZTDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDC637AN
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12361
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDC637AN-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.25
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PMPB15XN,115
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PMPB15XN,115-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.10
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDME820NZT
ຜູ້ຜະລິດ
Fairchild Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
9500
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDME820NZT-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.36
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
AUIRF2805S
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
FCB11N60TM
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
FDD4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
