FDMD85100

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDMD85100

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDMD85100-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2N-CH 100V 10.4A POWER56

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

Mosfet Array 100V 10.4A 2.2W Surface Mount Power56

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12850250

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FDMD85100 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ

ຜູ້ຜະລິດ

onsemi

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

PowerTrench®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

ການຕັ້ງຄ່າ

2 N-Channel (Half Bridge)

ລັກສະນະ FET

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

10.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 50V

ພະລັງ - Max

2.2W

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-PowerWDFN

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

Power56

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

FDMD85

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

FDMD85100DKR

FDMD85100CT

FDMD85100TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

FDS3912

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

onsemi

FDMD8260LET60

MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER

EFC2J013NUZTDG

MOSFET 2N-CH 6WLCSP

alpha-and-omega-semiconductor

AO4840

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC