FDMC86102LZ

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDMC86102LZ

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDMC86102LZ-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

ສິນຄ້າ:

5049 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12838948

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FDMC86102LZ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

onsemi

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

PowerTrench®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

7A (Ta), 18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1290 pF @ 50 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-MLP (3.3x3.3)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-PowerWDFN

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

FDMC86102

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

FDMC86102LZDKR

FDMC86102LZTR

FDMC86102LZ-DG

FDMC86102LZCT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

FDP025N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

onsemi

FDP3682

MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3

onsemi

FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

infineon-technologies

94-4007

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK