FDMA86108LZ

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDMA86108LZ

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDMA86108LZ-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12846923

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FDMA86108LZ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

onsemi

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

PowerTrench®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

2.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

243mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

163 pF @ 50 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

2.4W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

6-MicroFET (2x2)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

6-WDFN Exposed Pad

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

FDMA86108

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

FDMA86108LZDKR

FDMA86108LZCT

FDMA86108LZTR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

FDP8D5N10C

MOSFET N-CH 100V 76A TO220-3

onsemi

FQP47P06_SW82049

MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3

onsemi

HUFA76409P3

MOSFET N-CH 60V 18A TO220-3

onsemi

FCPF11N65

MOSFET N-CH 650V 11A TO220F