ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDG6308P
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDG6308P-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
ສິນຄ້າ:
12837688
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDG6308P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 P-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
153pF @ 10V
ພະລັງ - Max
300mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SC-88 (SC-70-6)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDG6308
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
FDG6308P-DG
2156-FDG6308P-OS
FDG6308PTR
ONSONSFDG6308P
FDG6308PDKR
FDG6308PCT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NTJD4152PT1G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
15411
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NTJD4152PT1G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.10
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDME1034CZT
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET
FDG8842CZ
MOSFET N/P-CH 30V 0.75A SC88
AUIRF7103Q
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
