ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDC2612

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDC2612-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 200 V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12838173

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FDC2612 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

onsemi

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

PowerTrench®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

725mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

234 pF @ 100 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1.6W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

SuperSOT™-6

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

FDC2612

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

FDC2612-DG

FDC2612CT

FDC2612TR

FDC2612DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

62-0136PBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

onsemi

FQI13N06LTU

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

onsemi

FDP039N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

onsemi

ECH8419-TL-H

MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH