ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDB12N50FTM-WS
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDB12N50FTM-WS-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
ສິນຄ້າ:
39 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12839082
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDB12N50FTM-WS ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ຊຸດ
UniFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1395 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
165W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263 (D2PAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDB12N50
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800
ຊື່ ອື່ນໆ
FDB12N50FTM-WSTR
FDB12N50FTM_WS-DG
FDB12N50FTM-WSCT
FDB12N50FTM_WSDKR-DG
FDB12N50FTM_WS
FDB12N50FTM_WSDKR
FDB12N50FTM_WSCT-DG
FDB12N50FTM_WSCT
FDB12N50FTM_WSTR-DG
FDB12N50FTM-WSDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDB20N50F
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12950
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDB20N50F-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.47
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
FDMS8848NZ
MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
FDS6680
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
