ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FDA62N28
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FDA62N28-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 280 V 62A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
ສິນຄ້າ:
12847255
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FDA62N28 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
UniFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
280 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4630 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
500W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3PN
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3, SC-65-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDA62
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTQ50N25T
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
242
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTQ50N25T-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.10
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2SK1317-E
ຜູ້ຜະລິດ
Renesas Electronics Corporation
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5608
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2SK1317-E-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.29
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDZ371PZ
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
HUF76429P3
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK