ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
FCU600N65S3R0
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
FCU600N65S3R0-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole IPAK
ສິນຄ້າ:
441 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12838412
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
FCU600N65S3R0 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
SuperFET® III
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Last Time Buy
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 600µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
465 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
54W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
IPAK
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Stub Leads, IPak
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FCU600
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
75
ຊື່ ອື່ນໆ
FCU600N65S3R0OS
2156-FCU600N65S3R0-488
FCU600N65S3R0-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTU8N70X2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
64
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTU8N70X2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.71
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FQD3N50CTF
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
FQB10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
FQU13N06LTU
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK