FCP165N65S3R0
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FCP165N65S3R0

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FCP165N65S3R0-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12838028
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FCP165N65S3R0 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
SuperFET® III
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
154W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FCP165

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
FCP165N65S3R0
ບັນທຶກ HTML
FCP165N65S3R0-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
FCP165N65S3R0

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FCP165N65S3R0-488

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SPP20N60C3XKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6171
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SPP20N60C3XKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.45
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP28N60M2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1020
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP28N60M2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.40
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCP165N65S3
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCP165N65S3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.68
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCH165N65S3R0-F155
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
444
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCH165N65S3R0-F155-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.80
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SIHP22N60AE-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SIHP22N60AE-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.72
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

FDZ204P

MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA

onsemi

FQB9P25TM

MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK

onsemi

FQPF5N60CYDTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3

onsemi

FQA62N25C

MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN