FCH190N65F-F155
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FCH190N65F-F155

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FCH190N65F-F155-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3

ສິນຄ້າ:

415 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12848196
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FCH190N65F-F155 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
FRFET®, SuperFET® II
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3225 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
208W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FCH190

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
450
ຊື່ ອື່ນໆ
FCH190N65F_F155-DG
FCH190N65F_F155

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPW60R180C7XKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
218
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPW60R180C7XKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.58
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW28N65M2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW28N65M2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.79
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTH24N65X2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
268
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTH24N65X2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.98
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPW60R165CPFKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
200
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPW60R165CPFKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.54
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK20N60W,S1VF
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
15
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK20N60W,S1VF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.83
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

NTD4804NAT4G

MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK

onsemi

FDMT800120DC

MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88

onsemi

FQD10N20TM

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

onsemi

FQI11N40TU

MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK