ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
EFC4618R-P-TR
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
EFC4618R-P-TR-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH EFCP1818
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 1.6W Surface Mount EFCP1818-4CC-037
ສິນຄ້າ:
12839469
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
EFC4618R-P-TR ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
ພະລັງ - Max
1.6W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-XFBGA, FCBGA
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
EFCP1818-4CC-037
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
EFC4618
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-EFC4618R-P-TR
2156-EFC4618R-P-TR-ONTR-DG
ONSONSEFC4618R-P-TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
ECH8697R-TL-W
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
7946
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
ECH8697R-TL-W-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.18
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDS8926A
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
NTJD4152PT2G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
FW217A-TL-2WX
MOSFET N-CH 35V 8SOIC
