ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
ECH8619-TL-E
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
ECH8619-TL-E-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
ສິນຄ້າ:
12839860
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
ECH8619-TL-E ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
93mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 20V
ພະລັງ - Max
1.5W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SMD, Flat Lead
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-ECH
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
ECH8619
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
869-1156-1
ECH8619TLE
869-1156-6
869-1156-2
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
QS8M31TR
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3630
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
QS8M31TR-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.24
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDMJ1023PZ
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75
FDMC8097AC
MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
FDC6318P
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6