ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BS170
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BS170-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
ສິນຄ້າ:
9395 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12851504
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BS170 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
40 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
830mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-92-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BS170
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BS170OS-DG
2156-BS170-OS
BS170-NDR
BS170OS
FSCBS170
BS170OSINACTIVE
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
VN2106N3-G
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6842
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
VN2106N3-G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.34
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
VN10KN3-G
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6680
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
VN10KN3-G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.44
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR120ATM
MOSFET N-CH 100V 8.4A TO252AA
HUF76443P3
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
FDMS8050
MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
