2SD1830
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2SD1830

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2SD1830-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 8 A 20MHz 2 W Through Hole TO-220ML

ສິນຄ້າ:

2000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12996675
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2SD1830 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 8mA, 4A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1500 @ 4A, 3V
ພະລັງ - Max
2 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
20MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ເກຣດ
-
ຄຸນສົມບັດ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220ML

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
533
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-2SD1830-488

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Vendor Undefined
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
nxp-semiconductors

PBSS5612PA,115

NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN

sanyo

2SA2022

2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S

nxp-semiconductors

BSR16/DG/B4215

NEXPERIA BSR16 - SMALL SIGNAL BI

sanyo

2SC3661-TB-E

2SC3661 - NPN EPITAXIAL PLANAR S