ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2SD1145F-AE
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2SD1145F-AE-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
BIP NPN 5A 20V
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
ສິນຄ້າ:
16000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12933880
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2SD1145F-AE ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 60mA, 3A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 500mA, 2V
ພະລັງ - Max
900 mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
120MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ເກຣດ
-
ຄຸນສົມບັດ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
3-MP
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,401
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
Not applicable
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2SA1208S-AE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SA1462-T1B-A
HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
2SC4256
NPN SILICON TRANSISTOR
