ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2N5401BU
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
onsemi
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2N5401BU-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
BJT TO92 150V PNP 0.625W 150C
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
ສິນຄ້າ:
12834166
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2N5401BU ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
ພະລັງ - Max
625 mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
400MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-92-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2N5401
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
2N5401
2N5401-NDR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2N5401YBU
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
60032
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2N5401YBU-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.04
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
