PMZB550UNE315

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PMZB550UNE315

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

NXP USA Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PMZB550UNE315-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 30 V 590mA (Ta) 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12947611

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

PMZB550UNE315 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

NXP Semiconductors

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

590mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

0.95V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

30.3 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

310mW (Ta), 1.67W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

DFN1006B-3

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

SC-101, SOT-883

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

PMZB550UNE315-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

6,177

ຊື່ ອື່ນໆ

2156-PMZB550UNE315

NEXNXPPMZB550UNE315

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

PH5830DLX

PH5830 - N-CHANNEL TRENCHMOS LOG

nxp-semiconductors

PSMN020-30MLCX

TRANSISTOR >30MHZ

nexperia

PSMN5R4-25YLD,115

PSMN5R4-25YLD - N-CHANNEL 25V, L

fairchild-semiconductor

FDD8770

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3