ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
PHW80NQ10T,127
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
NXP USA Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
PHW80NQ10T,127-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 80A TO247-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-247
ສິນຄ້າ:
12822281
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
PHW80NQ10T,127 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4720 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
263W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PHW80
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
PHW80NQ10T
PHW80NQ10T-DG
934055695127
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFP4310ZPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1902
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFP4310ZPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.10
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFH110N10P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFH110N10P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.80
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTQ110N10P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTQ110N10P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.43
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXTT140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO268
IRF6614TRPBF
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
IXFC30N60P
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
