ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
PDTB113ES,126
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
NXP USA Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
PDTB113ES,126-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 500 mW Through Hole TO-92-3
ສິນຄ້າ:
13072214
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
PDTB113ES,126 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິບລາ ແບບດຽວ ປິບິດ ນິຍົມ ບິບລາ
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ບັນທຶກ
-
ຜູ້ຜະລິດ
NXP USA Inc.
ຊຸດ
-
ແພັກເກດ
Tape & Box (TB)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
PNP - Pre-Biased
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
1 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
500nA
ພະລັງ - Max
500 mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-92-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PDTB113
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
934059144126
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DTB113ECT116
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2396
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DTB113ECT116-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DTB113EKT146
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1686
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DTB113EKT146-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.08
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
PDTC143XEF,115
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC89
PDTC144EE,115
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
PDTA123YS,126
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3