PBSS5112PAP,115
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PBSS5112PAP,115

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

NXP Semiconductors

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PBSS5112PAP,115-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

ສິນຄ້າ:

34680 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12967784
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

PBSS5112PAP,115 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິໂປລາ ທຣານຊີສະຕອນ ອາເລບລະລຸດ
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
2 PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
480mV @ 100mA, 1A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
190 @ 100mA, 2V
ພະລັງ - Max
510mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
100MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-UDFN Exposed Pad
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-HUSON (2x2)

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
PBSS5112PAP,115 Datasheet

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,888
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-PBSS5112PAP,115-954

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
harris-corporation

CA3096CM96

3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY

onsemi

EMT2DXV6T5G

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

harris-corporation

CA3083M

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN

intersil

CA3083R4339

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN