BUK752R3-40E,127

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

BUK752R3-40E,127

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

NXP Semiconductors

ເລະທີ່ສ່ວນ:

BUK752R3-40E,127-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

NEXPERIA BUK752R3-40E - 120A, 40

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 40 V 120A (Ta) 293W (Ta) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

1270 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12996919

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

BUK752R3-40E,127 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

NXP Semiconductors

ບັນທຶກ

Bulk

ຊຸດ

TrenchMOS™

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

120A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

109.2 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8500 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

293W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ເກຣດ

Automotive

ຄຸນສົມບັດ

AEC-Q101

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220AB

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

BUK752R3-40E,127-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

BUK752R3-40E,127

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

333

ຊື່ ອື່ນໆ

2156-BUK752R3-40E,127-954

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

Vendor Undefined

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

0000.00.0000

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

MT9M131C12STC-MI-DR

CMOS IMAGE SENSOR SYSTEM-ON-CHIP

infineon-technologies

IPB80P03P4L07ATMA2

MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3

AOD780A70

N

infineon-technologies

IPB055N08NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3