ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BUK6E4R0-75C,127
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
NXP Semiconductors
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BUK6E4R0-75C,127-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
ສິນຄ້າ:
19992 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12996495
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BUK6E4R0-75C,127 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
TrenchMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15450 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
306W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
I2PAK
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
273
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-BUK6E4R0-75C,127-954
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Vendor Undefined
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RW4E065GNTCL1
NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
IRF644B-FP001
IRF644B - DISCRETE MOSFET
PMZ1000UN,315
NEXPERIA PMZ1000UN - SMALL SIGNA
