BUJ302A,127
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

BUJ302A,127

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

NXP USA Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

BUJ302A,127-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

NOW WEEN - BUJ302A - POWER BIPOL
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 80 W Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

13825 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12979094
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

BUJ302A,127 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1A, 3.5A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
250mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 800mA, 3V
ພະລັງ - Max
80 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220AB

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
944
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-BUJ302A,127
WENNXPBUJ302A,127

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
diodes

ZTX601QSTZ

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

diodes

MMBT2907AQ-7-F

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23

diodes

FZT956QTA

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223

diodes

BC847BTQ-7

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT52