ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2N5551,412
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
NXP USA Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2N5551,412-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN 160V 0.3A TO92-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 300 mA 300MHz 630 mW Through Hole TO-92-3
ສິນຄ້າ:
13066365
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2N5551,412 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ແພັກເກດ
Bulk
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
ພະລັງ - Max
630 mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
300MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-92-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2N55
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
933215530412
2N5551P-ND
2N5551P
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2N5401,116
TRANS PNP 150V 0.3A TO92-3
2PA1576S/ZLX
TRANS PNP GEN PURPOSE SC70
2PA1576R/ZLX
TRANS PNP GEN PURPOSE SC70
