NTE2018
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

NTE2018

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

NTE Electronics, Inc

ເລະທີ່ສ່ວນ:

NTE2018-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP

ສິນຄ້າ:

22 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12950372
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

NTE2018 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິໂປລາ ທຣານຊີສະຕອນ ອາເລບລະລຸດ
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bag
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
8 NPN Darlington
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
ພະລັງ - Max
1W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-20°C ~ 85°C (TA)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
18-DIP (0.300", 7.62mm)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
18-PDIP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
NTE20

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
NTE201x, NTE2020

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
2368-NTE2018

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microchip-technology

JANTXV2N3810U/TR

TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

diodes

ZXTDA1M832TA

TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP

microchip-technology

JANTX2N5796U/TR

TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANS2N2920U/TR

TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT