ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
NTE857M
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
NTE Electronics, Inc
ເລະທີ່ສ່ວນ:
NTE857M-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
IC OPAMP JFET 1 CIRC 8MINI DIP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
J-FET Amplifier 1 Circuit 8-Mini DIP
ສິນຄ້າ:
27 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12950387
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
NTE857M ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
ອາມປິເຟເລຊີເຕອຮ໌, ອໍປະແມບ, ອິນສະຕິມິນເຕຊັນ, ບໍ່ຟໍລ໌ ອາຳປສ
ຜູ້ຜະລິດ
NTE Electronics, Inc.
ບັນທຶກ
Bag
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Amplifier
J-FET
ຈໍານວນຫມວດ
1
ປະເພດຜົນອອກ
-
ອັດຕາ ການ ຂ້າ ຟັນ
13V/µs
ຜະລິດຕະພັນ Gain Bandwidth
4 MHz
ກະແສ - Input Bias
80 pA
Voltage - Input Offset
2 mV
ປະຈຸບັນ - ອຸປະກອນ
1.4mA
Voltage - ຂອບເຂດອຸປະກອນ (Min)
36 V
Voltage - Supply Span (Max)
36 V
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
0°C ~ 70°C (TA)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-DIP (0.300", 7.62mm)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-Mini DIP
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
2368-NTE857M
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
LM358BIDGKR
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8VSSOP
OPA391DCKR
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5
TLV9002SIYCKR
IC CMOS 2 CIRCUIT 9DSBGA
