ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
PSMN8R5-100PSFQ
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Nexperia USA Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
PSMN8R5-100PSFQ-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 98A (Ta) 183W (Ta) Through Hole TO-220AB
ສິນຄ້າ:
12830214
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
PSMN8R5-100PSFQ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
98A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3181 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
183W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220AB
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
934070402127
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK40E10N1,S1X
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
28
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK40E10N1,S1X-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.74
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTP130N10T
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTP130N10T-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.59
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BUK6213-30A,118
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
BUK7M6R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
