PSMN7R0-60YS,115
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PSMN7R0-60YS,115

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Nexperia USA Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PSMN7R0-60YS,115-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 89A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

ສິນຄ້າ:

58809 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12832613
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
naKT
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

PSMN7R0-60YS,115 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
89A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2712 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
117W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
LFPAK56, Power-SO8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-100, SOT-669
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PSMN7R0

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,500
ຊື່ ອື່ນໆ
568-5596-1-DG
5202-PSMN7R0-60YS,115TR
568-5596-1
568-5596-2-DG
568-5596-6
568-5596-6-DG
1727-4635-2
934064403115
1727-4635-1
568-5596-2
1727-4635-6

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
nexperia

ON5194,127

MOSFET POWER TRENCH I2PAK

nexperia

PMZ130UNEYL

MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3

nexperia

PSMN2R6-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

PSMN1R0-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56