PSMN4R3-80ES,127
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PSMN4R3-80ES,127

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Nexperia USA Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PSMN4R3-80ES,127-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK

ສິນຄ້າ:

12830670
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

PSMN4R3-80ES,127 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8161 pF @ 40 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
306W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
I2PAK
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-PSMN4R3-80ES,127-1727
568-6708-5
1727-5280
568-6708-DG
934065164127
568-6708-5-DG
568-6708

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
nexperia

PSMN2R9-25YLC,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

nexperia

BUK758R3-40E,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

nexperia

PMPB95ENEAX

MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6

nexperia

BUK9M120-100EX

MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33