PSMN1R9-40YSDX
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PSMN1R9-40YSDX

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Nexperia USA Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PSMN1R9-40YSDX-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 194W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

ສິນຄ້າ:

1007 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13270305
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

PSMN1R9-40YSDX ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
200A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6198 pF @ 20 V
ລັກສະນະ FET
Schottky Diode (Body)
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
194W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
LFPAK56, Power-SO8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-100, SOT-669
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PSMN1R9

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,500
ຊື່ ອື່ນໆ
1727-PSMN1R9-40YSDXDKR
5202-PSMN1R9-40YSDXTR
934660733115
1727-PSMN1R9-40YSDXCT
1727-PSMN1R9-40YSDXTR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
renesas-electronics-america

N0605N#YW

MOSFET N-CHANNEL

stmicroelectronics

STF16N90K5

MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP

rohm-semi

BSM300C12P3E301

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE

infineon-technologies

IPC60R037P7X7SA1

MOSFET N-CH HI POWER WAFER