ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
PSMN1R2-25YLDX
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Nexperia USA Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
PSMN1R2-25YLDX-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 172W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
ສິນຄ້າ:
3755 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12831647
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
PSMN1R2-25YLDX ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4327 pF @ 12 V
ລັກສະນະ FET
Schottky Diode (Body)
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
172W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
LFPAK56, Power-SO8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SC-100, SOT-669
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PSMN1R2
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,500
ຊື່ ອື່ນໆ
568-12928-1-DG
568-12928-2-DG
568-12928-6
1727-2496-6
5202-PSMN1R2-25YLDXTR
568-12928-6-DG
1727-2496-2
1727-2496-1
568-12928-1
568-12928-2
934069909115
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
PMV230ENEAR
MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
PHD71NQ03LT,118
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
PMV35EPER
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
