PSMN027-100XS,127
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PSMN027-100XS,127

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Nexperia USA Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PSMN027-100XS,127-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 23.4A (Tc) 41.1W (Tc) Through Hole TO-220F

ສິນຄ້າ:

12893921
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

PSMN027-100XS,127 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
23.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26.8mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1624 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
41.1W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220F
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
934066046127
PSMN027-100XS,127-DG
PSMN027100XS127
568-9501-5
PSMN027-100XS127

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
taiwan-semiconductor

TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

taiwan-semiconductor

TSM60NB099CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220

vishay-siliconix

IRF2807ZSTRL

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

taiwan-semiconductor

TSM3401CX RFG

MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23