ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PSMN018-100ESFQ

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Nexperia USA Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PSMN018-100ESFQ-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12830549

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

PSMN018-100ESFQ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Nexperia

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

53A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.4 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1482 pF @ 50 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

111W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

I2PAK

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

PSMN018-100ESFQ-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

PSMN018-100ESFQ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ຊື່ ອື່ນໆ

934068749127

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

nexperia

PSMN8R5-100PSQ

MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB

nexperia

BUK7Y29-40EX

MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56

nexperia

BUK9907-40ATC,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5

nexperia

PSMN3R0-60BS,118

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK