ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
PMFPB8032XP,115
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Nexperia USA Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
PMFPB8032XP,115-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-HUSON (2x2)
ສິນຄ້າ:
80 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12829543
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
PMFPB8032XP,115 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
Schottky Diode (Isolated)
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-HUSON (2x2)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-UFDFN Exposed Pad
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PMFPB8032
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
934066583115
1727-1351-6
568-10788-2-DG
568-10788-6
568-10788-2
568-10788-6-DG
1727-1351-2
PMFPB8032XP,115-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NTLJF3117PT1G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
20724
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NTLJF3117PT1G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.13
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BUK9880-55/CUF
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
BSP250,135
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
PMN52XPX
MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
