ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BST82,215
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Nexperia USA Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BST82,215-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
ສິນຄ້າ:
47865 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12829235
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BST82,215 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
40 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
830mW (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-236AB
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BST82
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
5202-BST82,215TR
568-6229-6-DG
568-6229-2
568-6229-2-DG
BST82 T/R
568-6229-1
568-6229-1-DG
1727-4937-2
1727-4937-6
BST82,215-DG
1727-4937-1
BST82 T/R-DG
933733110215
568-6229-6
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
ZVN3310FTA
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6862
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
ZVN3310FTA-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.19
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSS123LT1G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
217861
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSS123LT1G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.03
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
PMV42ENER
MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
PSMN3R5-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
BUK7908-40AIE,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
