ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
NP82N04MDG-S18-AY
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
NEC Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
NP82N04MDG-S18-AY-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Through Hole TO-220-3
ສິນຄ້າ:
4700 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13075866
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
NP82N04MDG-S18-AY ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ແພັກເກດ
Tube
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.8W (Ta), 143W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
128
ຊື່ ອື່ນໆ
RENNECNP82N04MDG-S18-AY
2156-NP82N04MDG-S18-AY-NEC
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FQP12N60
MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
FQI10N60CTU
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
FQAF19N60
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF