ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

JANSR2N7380

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microsemi Corporation

ເລະທີ່ສ່ວນ:

JANSR2N7380-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 100 V 14.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13247091

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

JANSR2N7380 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Microsemi

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

14.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

12V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 14.4A, 12V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40 nC @ 12 V

Vgs (Max)

±20V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

2W (Ta), 75W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ເກຣດ

Military

ຄຸນສົມບັດ

MIL-PRF-19500/614

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-257

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-257-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1

ຊື່ ອື່ນໆ

JANSR2N7380-ND

150-JANSR2N7380

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

Not Applicable

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

APTC60DAM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

microchip-technology

APT77N60BC6

MOSFET N-CH 600V 77A TO247

microchip-technology

APTM100UM45DAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

microchip-technology

APT56M50L

MOSFET N-CH 500V 56A TO264