ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
JAN2N3960UB
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microsemi Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
JAN2N3960UB-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN 12V UB
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 400 mW Surface Mount UB
ສິນຄ້າ:
12921988
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
JAN2N3960UB ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 3mA, 30mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 1V
ພະລັງ - Max
400 mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ເກຣດ
Military
ຄຸນສົມບັດ
MIL-PRF-19500/399
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
3-SMD, No Lead
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
UB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2N3960
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
100
ຊື່ ອື່ນໆ
1086-20941-DG
150-JAN2N3960UB
1086-20941
1086-20941-MIL
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
