ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
APT20M22B2VFRG
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microsemi Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
APT20M22B2VFRG-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
ສິນຄ້າ:
13263791
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
APT20M22B2VFRG ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
POWER MOS V®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
435 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10200 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
520W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
T-MAX™ [B2]
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3 Variant
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
APT20M22B2VFRG-ND
150-APT20M22B2VFRG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTQ120N20P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTQ120N20P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
6.73
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFH120N20P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
188
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFH120N20P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
7.05
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFR140N20P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5020
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFR140N20P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
11.60
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTH130N20T
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
17
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTH130N20T-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.36
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
APT38F80L
MOSFET N-CH 800V 41A TO264
APT6038SLLG
MOSFET N-CH 600V 17A D3PAK
2N7236U
MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB
