ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2N6250
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microsemi Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2N6250-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
NPN TRANSISTOR
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 275 V 10 A 6 W Through Hole TO-204AA (TO-3)
ສິນຄ້າ:
13261411
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2N6250 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microsemi
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
275 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.25A, 10A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
8 @ 10A, 3V
ພະລັງ - Max
6 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-204AA, TO-3
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-204AA (TO-3)
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
100
ຊື່ ອື່ນໆ
150-2N6250
2N6250-ND
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
